Toshiba начинает массовое производство 24 нм NAND Flash-памяти

Недавно мы сообщали о начале поставок 3-битной NAND Flash-памяти, выполненной по 25-нм техпроцессу компаниями Intel и Micron. Однако уже сегодня, Toshiba Corporation заявила о массовом производстве новых 32 Гб микросхем с применением 24-нм технологического процесса с многоуровневой структурой ячеек (MLC), каждая из которых способна сохранять три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Это нововведение позволит уменьшить площадь кристалла, снизить стоимость производства и повысить объем чипов. Как сообщатся в официальном пресс-релизе, данный техпроцесс уже применяется для производства 64 Гб микросхем с двумя битами на ячейку (2bpc).

Новые 32 Гб чипы также будут комплектоваться технологией Toggle DDR, которая должна увеличить скорость передачи данных. Данные микросхемы будут широко использоваться в мобильных устройствах, лептопах и SSD-накопителях и позволят компании Toshiba укрепить свои позиции на данном рынке.

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshttp.co.jp
Сергей Будиловский