Samsung выпустила первый инженерный образец модуля памяти PRAM
Несмотря на то, что запланированный на июнь этого года запуск полномасштабного производства модулей памяти на базе ячеек с фазовым переходом PRAM (Phase change Random Access Memory) был отложен на несколько месяцев вперёд и до сих пор находится в процессе подготовки, компания Samsung предсказывает стремительное распространение данного типа памяти в качестве энергоэффективного носителя информации в различных портативных устройствах ближайшего будущего. По мнению одного из высокопоставленных представителей компании, данный тип памяти завоюет широкую популярность в таких сегментах рынка как мобильные телефоны, мультимедийные проигрыватели, смартфоны.
Принципиальное отличие ячеек модулей памяти PRAM от ячеек DRAM состоит в возможности сохранения пользовательских данных в энергонезависимом режиме благодаря фазовому переходу халькогенидных стеклообразных полупроводников из кристаллического состояния в аморфное. Таким образом, функционирование модуля памяти PRAM в энергонезависимом режиме сочетается с высочайшим уровнем производительности данных ячеек памяти, обеспечивающих увеличение показателя скорости обмена данными между ячейками до 3000 %, а также поддержку в десять раз большего количества циклов записи сравнительно с распространёнными NOR и NAND флэш-памятью. Представленный на этой неделе первый рабочий образец модуля PRAM представляет собой произведенный по 60 нм технологии чип памяти объёмом в 512 МБ. По результатам внутреннего тестирования, данный инженерный образец способен стереть количество информации размером в 64 килослова за 80 мс, что соответствует 10-кратному увеличению скорости обработки операции относительно флэш-памяти типа NOR. Измеренная скорость стирания и перезаписи очереди из сегментов данных объёмом в 5 МБ эквивалентна 7-кратному приросту относительно замера скоростных показателей аналогичных операций с использованием NOR флэш-памяти.
К сожалению, заявленный срок хранения пользовательских данных в условиях долговременного отстутствия электроснабжения ячеек памяти с фазовым переходом, а также эксплуатационные факторы, в той или иной степени влияющие на сохранность данных, производителем не сообщаются.
